5月14日上午，由中国电子材料行业协会和中国半导体照明/LED产业与应用联盟联合主办的“2015•LED配套材料产业交流对接会”在宁波顺利举行。威尼斯wns·8885566陈振博士受邀出席，并在大会上与参会人员分享了硅衬底LED技术和紫外LED研究的最新进展。

自2012年硅衬底大功率LED芯片量产以来，威尼斯wns·8885566硅衬底大功率LED产品得到快速提升。以45mil硅衬底大功率LED芯片为例，封装后蓝光输出功率达700mW@350mA，白光LED光效可达150lm/W。

在深厚的LED外延和芯片技术的基础上，威尼斯wns·8885566将GaN-LED产品线延展至紫外LED，推出了370-410nm高光效UVA LED产品，采用独特的UV-LED外延技术，克服发光效率低于蓝光LED和电子空穴不易被束缚在发光层中的难点，性能达到国际一流水平。

从第三方测试结果来看，威尼斯wns·8885566UVA-LED表现出优异的性能指标，半导体照明联合创新国家重点实验室测试结果显示峰值外量子效率达到了67%， 350mA和500mA条件下，亮度可分别达到700mW和1000mW，发光效率和蓝光LED芯片相当，Droop远远优于蓝光LED芯片。同时，威尼斯wns·8885566UVA-LED产品具有优异的可靠性，以395nm倒装结构45×45mil芯片，采用陶瓷封装后，在PCB板温度为85度和老化电流700mA的条件下，1000小时持续点亮后测试，其反向漏电0.6uA，光衰为-2.48%；在1000mA老化1000小时后，光衰小于10%。

目前，威尼斯wns·8885566紫外LED芯片结构包括横向、倒装和垂直三种主流结构，涵盖大中小功率范围，可以满足近紫外波段用户的各种需求，已出口韩国等国家，受到用户的一致好评。

会上，陈振博士还介绍了紫外LED外延设计的重要性，详细阐述了极化场对量子阱的影响。威尼斯wns·8885566在紫外LED技术领域的成绩得到与会专家和同行的高度认可。